Erich Kasper (德國斯圖加特大學(xué)半導體研究所，斯圖加特，德國) 作為微電子材料，硅具備許多優(yōu)良的電學(xué)特性，采用硅材料的器件集成度能夠比其他材料高幾個(gè)數量級。然而，硅是一種間接帶隙材料，其光學(xué)躍遷過(guò)程會(huì )引人大量低能的聲子造成躍遷幾率很低，導致其光學(xué)特性(發(fā)射與吸收)遠不如ill l V 族半導體材料。